进化亦是退化 新工艺导致SSD寿命性能双退步
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MLC寿命变差的原理
现在不妨抛开颗粒发展的问题,只停留在还算成熟和稳定的MLC上,看看不同时代的MLC颗粒有哪些变化。
在《固态硬盘发展之殇:渐行渐远的企业存储方案》有一张图是用来描述固态硬盘对于ECC校验依赖性的,不过其中的一些其他信息成为了本文的重要内容。
在这张图里除了显示出SSD固态硬盘对于ECC校验越来越依赖之外,在横轴上列举了5种类型的存储颗粒,分别是SLC、50纳米工艺的MLC、30纳米工艺的MLC、20纳米工艺的MLC以及TLC,中间的三种MLC的寿命又是什么情况呢?在图中可以很清楚的看到,50纳米MLC的寿命是10000次,依赖于4bit ECC校验,30纳米MLC的寿命是5000次,依赖于8bit ECC校验,而20纳米MLC的写入寿命是3000次,依赖15bit ECC校验。
也就是说同样是MLC颗粒,随着制造工艺的提升,晶体管也朝着越来越脆弱的方向发展了,如果不是ECC校验规格不断提升,MLC的写入寿命也随着工艺进步在以不可思议的速度衰退。
ECC校验会占用一定的性能,这部分要依赖于主控芯片,幸好主控芯片的性能提升幅度比较大,让SSD厂商得以从软件上弥补硬件的不足。不过工艺提升的道路是无休止的,最骇人听闻的事情还是出现了。
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