公众号TLC并非一无是处 短命芯片或助力数据中心
2013-02-22 06:00:00
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此前天极网服务器频道的《固态硬盘发展之殇：渐行渐远的企业存储方案》一文曾经讲过，虽然SSD固态硬盘一度可能成为存储解决方案中的首选，然而随着工艺的升级以及存储芯片研究的深入，存储颗粒制造商最终走上了一条捷径：在尽量不增加晶体管规模的前提下，通过SLC-MLC-TLC-QLC的演变，以最低成本的方式实现了容量的三级跳，同等成本下MLC存储颗粒的容量是SLC的2倍，而TLC的容量达到SLC的3倍。
不过这样的发展路线也为固态硬盘带来了一个非常棘手的问题。芯片对数据进行存储是依赖于电压的，从SLC一路升级过来，存储时所使用的控制电压也随之从2种升级到了8种，频繁变化的电压带来的不仅仅是存储延迟增加造成的性能下降，更是对晶体管的巨大冲击。
屋漏偏逢连夜雨，由于晶体管制造工艺进步“令人惊喜”，制程从50纳米以上向20纳米甚至更高级别的工艺迈进，晶体管在承受的电压冲击越来越复杂的同时，自身却越来越脆弱，因此在寿命方面大打折扣，发展到TLC时，其P/E周期(写入/擦除循环周期，可以看作是寿命)只有SLC的1%，也只有MLC的30%。目前TLC的P/E周期不足1000次，远远达不到2500次的企业级存储要求。
其实即使没有TLC出现，SSD寿命的问题也依然会引发企业存储行业的探讨。理论上来说，制程越先进，其好处应该越多，然而在存储领域完全不是这样。在MLC时代，随着制造工艺的升级，早期的MLC芯片与如今的MLC芯片寿命也有了很大差异，在MLC芯片上的寿命缩水就已经达到了70%。
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