美光倡导内存颗粒3D封装标准
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不断增加单位面积中所能容纳的晶体管数量一直是半导体企业技术进步的最基本标志。当然,达成这一目标同样有很多途径。一方面,厂商可以通过提升制程工艺来达到目的,另一方面,将多层硅晶片进行堆叠同样可以达到倍增的效果,只不过这种方法成本更低廉。
日前,美光科技今天表示,正在与标准化组织JEDEC合作,争取制定3D内存堆叠封装技术的标准化,并且有可能成为下一代DDR4内存的基本制造技术。
美光将此标准提案称为“3DS”——不是任天堂的新掌机,而是“三维堆叠”(three-dimensional stacking)。美光计划使用特殊设计的主从DRAM die,其中只有主die才与外界内存控制器发生联系,从die只是个跟班的小弟,同时还会用上优化的DRAM die、每堆栈单个DLL、减少主动逻辑电路、共享的单个外部I/O、改进时序、降低外部负载等等,最终目的是一方面改善内存的时序、总线速度、信号完整性,另一方面降低内存子系统的功耗和系统压力。
美光还特意展示了当前内存技术在不同rank之间读取时候的时序局限。由于系统限制,会在数据总线上出现一个周期的滞后,进而影响整体系统带宽。美光宣称3DS技术可以消除这些局限,特别是可以从不同rank那里接受读取指令,从而“改进数据总线利用率和带宽”。
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