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近日,美光科技公司利用20纳米制造工艺技术推出了TCL架构的128千兆位NAND闪存,该公司表示,此闪存为世界上最密集的内存。
该闪存比该公司相同容量的MLC架构NAND闪存面积缩减25%以上。其主要用在可移动存储设备上,包括闪存卡与USB驱动器。
美光预测,可移动存储在2013年将消耗35%的NAND内存。128千兆位的NAND闪存将为定制用户提供样品,并将在2013年第而季度量产。
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Poplar-king编译
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