英特尔联合镁光发布全新3D NAND闪存

  【天极网服务器频道】英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。闪存是目前在最轻便的笔记本电脑、最快速的数据中心，以及几乎所有手机、平板电脑和移动设备中使用的存储技术。

  这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

  当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。摩尔定律描绘了持续性能提升与成本降低的发展轨迹。而通过保持摩尔定律与闪存存储解决方案的一致性，3D NAND技术将有望对闪存存储解决方案产生重大影响，从而让闪存存储得到更广泛的应用。

  创新工艺架构

  这项技术最重要的特点之一是其基础存储单元。英特尔和镁光选择使用的浮栅存储单元是业界广泛使用的一种设计。它基于多年来大批量制造的平面结构闪存设计改进而成，并首次在3D NAND技术中使用。而浮栅单元是提升性能、质量和可靠性的一个关键设计选择。

  全新的3D NAND技术可垂直堆叠32层闪存单元，能够在标准封装内实现256Gb多层单元(MLC)和384Gb三层单元(TLC)芯片。这些容量可使口香糖大小的固态盘提供超过3.5TB的存储容量，同时使标准2.5英寸固态盘能够提供超过10TB的存储容量。由于存储容量可通过垂直堆叠单元来实现，单个存储单元的尺寸可以变得非常大。这将有望提高产品的性能和耐用性，甚至可以使TLC设计出色地满足数据中心存储的需求。

  256Gb MLC版本的3D NAND芯片当前已向部分合作伙伴提供样品，384Gb TLC版本的3D NAND芯片将于2015年春末开始提供样品。目前，晶圆厂生产线已开始初步生产，这两款设备将在2015年第四季度全面投产。两家公司还在开发基于3D NAND技术的独立固态盘解决方案系列，并预计于2016年推出相关产品。